8月19日晚，中微半导体设备(上海)股份有限公司(证券代码：688012，以下简称“中微公司”)披露2026年半年度报告。在AI算力需求爆发式增长、全球半导体设备市场持续扩容及国产替代进程加速的背景下，中微公司延续强劲增长势头，上半年实现营业收入约66.91亿元，同比增长34.89%；实现扣非归母净利润约11.23亿元，较去年同期增长108.36%。
值得关注的是，公司2026年上半年归属于母公司所有者的净利润约28.25亿元，较上年同期增加约21.19亿元，同比增长约300.22%。公司2026年上半年研发投入约20.41亿元，同比增长36.89%，研发投入占营业收入比例约为30.52%，远高于科创板上市公司平均10%至15%的研发投入水平。截至2026年6月底，中微公司已开发出54种高端半导体设备，累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产。
中微公司董事长兼总经理尹志尧表示，自2012年至今，中微公司已连续14年保持平均年销售35%以上的增长，人均年销售额达到了450万元，和国际领先的设备公司持平。但中微公司的人均成本不到国际公司的一半，公司的劳动生产率远高于国际领先的设备公司。未来，中微公司将继续认真贯彻“科创企业五个十大”，坚持三维立体发展战略，坚持有机生长和外延扩展相结合的基本策略，实现总能量和净能量最大化，确保公司高速、稳定、健康和安全的高质量发展，在规模、产品竞争力和客户满意度上尽早成为国际第一梯队的微观加工设备公司。
研发投入持续加码，高端设备布局取得关键突破
半导体设备的技术水平直接决定了芯片制造的先进程度。中微公司开发高端设备一贯坚持“技术的创新、产品的差异化和知识产权保护”三大原则，新产品开发周期已从过去三至五年缩短至两年以内。尹志尧在8月1日22周年庆典上表示，公司在开发新产品时，仅需针对性开发30%—40%特定的部分，剩余60%—70%的通用技术、结构组件均被模块化，达到成熟、可复用的状态。
报告显示，2026年上半年中微公司在研项目涵盖六大类设备、超20款新设备，包含新一代电容耦合等离子体刻蚀机(CCP)、电感耦合等离子体刻蚀机(ICP)、晶圆边缘刻蚀设备、低压化学气相沉积(LPCVD)及原子层沉积设备(ALD)薄膜设备、大平板设备以及多款新型MOCVD设备等。
在核心刻蚀设备领域，公司技术纵深持续扩展。CCP刻蚀设备方面，针对超高深宽比刻蚀工艺开发的全新Primo XD-RIE已完成实验室马拉松测试，Beta机在客户端验证顺利；针对7纳米及以下逻辑器件更高选择比和均匀度要求的全新高选择比高均匀度刻蚀设备，预计2026年内付运客户端进行工艺验证。ICP刻蚀设备方面，低温高深宽比刻蚀设备Primo Nanova LUX-Cryo已在客户下一代产品产线上稳定量产，下一代高精度ICP刻蚀设备Primo Angnova Beta机在客户端认证顺利并取得多个重复订单。公司开发的刻蚀设备加工精度已达到原子级水平。
在巩固刻蚀设备市场领先地位的同时，中微公司的薄膜沉积设备产品矩阵也在持续丰富与完善。2026年上半年，公司钨系列薄膜沉积产品已全部通过关键存储客户端量产验证并获得重复量产订单；金属栅系列产品(ALD氮化钛、ALD钛铝、ALD氮化钽)已完成多个先进逻辑客户设备验证；金属硅化物集成系统Preforma Uniflash ®，包含原位高选择性前清洁产品SA & SU，等离子体增强化学气相沉积金属钛SPTi，和原子层沉积氮化钛ALD TiNM产品。该系列产品已交付多个先进逻辑、先进存储客户，现场验证顺利推进。中微公司在金属薄膜沉积领域持续扩展市场版图，为公司持续高速增长提供更充足的空间。在大平板显示设备领域，中微公司仅用18个月时间成功开发出OLED 8.6代线大平板PECVD设备，达到客户生产线±5%薄膜厚度均匀性要求，顺利进入大生产线认证，成功填补了国内在该领域的技术空白。
外延并购再下一城，平台化战略迈出关键一步
在筑牢刻蚀与薄膜设备“双引擎”的同时，中微公司正通过外延并购加速补齐平台化版图。报告期内，公司完成了对杭州众硅的控股权收购，实现了对化学机械抛光(CMP)设备的覆盖，完成了从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。杭州众硅是国内少数掌握12英寸高端CMP设备核心技术并实现量产的企业。本次收购配套募资15亿元，国家级产业资本与地方国资双重加持，传递出政策鼓励头部半导体设备企业并购整合、完善产业链自主可控的明确信号。
CMP是半导体前道制造中唯一的全局平坦化工艺，与中微公司现有的等离子体刻蚀、薄膜沉积等干法设备形成明确互补。收购完成后，中微公司成为国内同时拥有刻蚀、薄膜沉积、CMP、量检测四大前道核心工艺设备能力的综合设备平台厂商，补齐了湿法工艺短板。这一整合使公司能够为客户提供成套设备解决方案，大幅缩短工艺调试和验证周期。
在泛半导体领域，中微公司持续深耕，氮化镓基MOCVD设备的行业领先地位持续稳固。公司已建立氮化镓LED外延装备的优势，在此基础上进一步研发了面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用设备。报告期内，公司已付运新型氮化镓功率器件应用MOCVD设备至领先客户端开展生产验证，新型8寸碳化硅外延设备已进入国内头部企业进行生产验证并取得重复订单，红黄光LED应用的MOCVD设备样机验证进展顺利。此外，公司于报告期内启动磷化铟(InP)材料体系专用MOCVD设备的开发，进一步拓展MOCVD设备应用版图。
目前公司产品已覆盖约30%的半导体高端设备，在研项目涵盖六大类、二十多款新设备。尹志尧明确表示，未来五年将通过自主开发与外延并购，覆盖至少60%以上、超100种半导体高端设备，在先进封装领域覆盖70%以上的关键设备，到2035年在规模、产品竞争力和客户满意度上成为全球第一梯队的半导体设备公司。
产能建设全面提速，全球竞争力持续夯实
为应对全球半导体设备市场持续增长的需求，中微公司加速推进产能布局。8月1日，位于上海临港滴水湖畔、建筑面积约10万平方米的总部大楼暨研发中心正式落成启用。与此同时，广州华南总部研发及生产基地一期项目主体结构已于2026年7月封顶，计划2027年投产；成都研发及生产基地暨西南总部一期项目主体结构已于2026年8月封顶，预计2027年建成投产。
公司当前整体建筑面积达60万平方米，预计未来五年左右增至90万平方米，年生产能力将提升至700亿元以上。
根据国际半导体行业协会(SEMI)2026年年中预测，全球半导体设备市场销售额2026年将增长23.2%，达到1,659亿美元，到2028年将创下历史新高，达到2,295亿美元，AI基础设施扩展与先进存储技术投资是主要驱动力。当前，中国半导体产业链自主可控已上升为国家战略，“十五五”规划明确提出提高先进制程制造能力、加快发展关键装备。中微公司正站在这一历史节点上，以高强度研发投入，内生增长与外延并购相结合的发展策略，通过“三维立体发展”和平台化布局，不断提升在全球半导体设备市场的竞争力。
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